SGT50T65SDM1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SGT50T65SDM1P7
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: 50T65SDM1
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Máxima potencia disipada (Pc), W: 416
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 133
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 230
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 123
   Paquete / Cubierta: TO247

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SGT50T65SDM1P7 Datasheet (PDF)

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