SGTP30V60FD2PU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SGTP30V60FD2PU
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: P30V60FD2
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 41 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 75 nC
   Paquete / Cubierta: TO247N
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros