SGTP30V60FD2PU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP30V60FD2PU
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 395 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 22 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 41 pF
Paquete / Cubierta: TO247N
Búsqueda de reemplazo de SGTP30V60FD2PU IGBT
SGTP30V60FD2PU Datasheet (PDF)
sgtp30v60fd2pu.pdf
SGTP30V60FD2PU 30A600V C 2SGTP30V60FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 30A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=30A
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History: SGTP40V60FD2PU | SGTP40V65FDR1P7 | SGTP40V120F2P7 | SGTP40V120FDB2P7
History: SGTP40V60FD2PU | SGTP40V65FDR1P7 | SGTP40V120F2P7 | SGTP40V120FDB2P7
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