SGTP40V60FD2PU Todos los transistores

 

SGTP40V60FD2PU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP40V60FD2PU
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 55 pF
   Paquete / Cubierta: TO247N
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGTP40V60FD2PU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  silan
 sgtp40v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP40V60FD2PU

SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A

 5.1. Size:505K  silan
 sgtp40v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP40V60FD2PU

SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

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 sgtp40v65fdr1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V60FD2PU

SGTP40V65FDR1P7 40A650V C2SGTP40V65FDR1P7 1Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=40A

 6.2. Size:471K  silan
 sgtp40v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V60FD2PU

SGTP40V65SDB1P7 40A650V C 2SGTP40V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

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History: KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | IXGH30N60BD1 | SPT40N120T1BT8TL | IQGB400N60I4 | IRG7PH46UD-E | APTGF330A60D3

 

 
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