Справочник IGBT. SGTP40V60FD2PU

 

SGTP40V60FD2PU Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP40V60FD2PU
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P40V60FD2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO247N
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP40V60FD2PU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  silan
 sgtp40v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP40V60FD2PU

SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A

 5.1. Size:505K  silan
 sgtp40v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP40V60FD2PU

SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 6.1. Size:419K  silan
 sgtp40v65fdr1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V60FD2PU

SGTP40V65FDR1P7 40A650V C2SGTP40V65FDR1P7 1Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=40A

 6.2. Size:471K  silan
 sgtp40v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V60FD2PU

SGTP40V65SDB1P7 40A650V C 2SGTP40V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: MIAA20WE600TMH | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | BSM150GAL120DLC | VS-GB50NA120UX | XNF6N60T | MMG150D170B6EN

 

 
Back to Top

 


 
.