SGTP40V65SDB1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP40V65SDB1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: P40V65SDB1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 82 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 107 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SGTP40V65SDB1P7 - IGBT
SGTP40V65SDB1P7 Datasheet (PDF)
sgtp40v65sdb1p7.pdf
SGTP40V65SDB1P7 40A650V C 2SGTP40V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A
sgtp40v65fdr1p7.pdf
SGTP40V65FDR1P7 40A650V C2SGTP40V65FDR1P7 1Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=40A
sgtp40v60sd2pf.pdf
SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A
sgtp40v60fd2pu.pdf
SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A
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