SGTP40V65SDB1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGTP40V65SDB1P7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: P40V65SDB1
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 230
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.35
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 26
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 82
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 107
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SGTP40V65SDB1P7 - IGBT
SGTP40V65SDB1P7 Datasheet (PDF)
sgtp40v65sdb1p7.pdf
SGTP40V65SDB1P7 40A650V C 2SGTP40V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A
sgtp40v65fdr1p7.pdf
SGTP40V65FDR1P7 40A650V C2SGTP40V65FDR1P7 1Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=40A
sgtp40v60sd2pf.pdf
SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A
sgtp40v60fd2pu.pdf
SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A
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