SGTP40V65SDB1P7 Todos los transistores

 

SGTP40V65SDB1P7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGTP40V65SDB1P7
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: P40V65SDB1
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 82 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 107 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGTP40V65SDB1P7 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:471K  silan
 sgtp40v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V65SDB1P7

SGTP40V65SDB1P7 40A650V C 2SGTP40V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 5.1. Size:419K  silan
 sgtp40v65fdr1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V65SDB1P7

SGTP40V65FDR1P7 40A650V C2SGTP40V65FDR1P7 1Field Stop 5GUPSSMPS PFC 3E 40A650VVCE(sat)( )=1.65V@IC=40A

 6.1. Size:505K  silan
 sgtp40v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP40V65SDB1P7

SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 6.2. Size:509K  silan
 sgtp40v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP40V65SDB1P7

SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A

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History: APTGF25X120E2 | MMG150S120B6TN | GT80J101 | APTLGF210U120T | SGT20T60SD1T | BLG40T120FUH-F

 

 
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