SGTP40V65SDB1P7 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGTP40V65SDB1P7
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P40V65SDB1
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 230
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.35
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 26
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 82
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 107
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGTP40V65SDB1P7

 

 

SGTP40V65SDB1P7 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SGT75T65SDM1P4 , SGT75T65SDM1P7 , SGTP30V60FD2PU , SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , JT075N065WED , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , SGTP50V60FD2PU , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 .