SGTP40V65SDB1P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGTP40V65SDB1P7  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 82 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGTP40V65SDB1P7

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP40V65SDB1P7 даташит

 0.1. Size:471K  silan
 sgtp40v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V65SDB1P7

 5.1. Size:419K  silan
 sgtp40v65fdr1p7.pdf pdf_icon

SGTP40V65SDB1P7

 6.1. Size:505K  silan
 sgtp40v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP40V65SDB1P7

SGTP40V60SD2PF 40A 600V C 2 SGTP40V60SD2PF 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 40A 600V VCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 6.2. Size:509K  silan
 sgtp40v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP40V65SDB1P7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGT75T65SDM1P4, SGT75T65SDM1P7, SGTP30V60FD2PU, SGTP40V120F2P7, SGTP40V120FDB2P7, SGTP40V60FD2PU, SGTP40V60SD2PF, SGTP40V65FDR1P7, IKW40T120, SGTP50T120FDB4PWA, SGTP50V60FD2PF, SGTP50V60FD2PU, SGTP50V60SD2PF, SGTP50V65FD2PU, SGTP50V65FDB1P7, SGTP50V65SDB1P7, SGTP50V65UF1P7