IXGK80N60AU1 Todos los transistores

 

IXGK80N60AU1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGK80N60AU1

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 80

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 275

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO264

Búsqueda de reemplazo de IXGK80N60AU1 - IGBT

 

IXGK80N60AU1 Datasheet (PDF)

5.1. ixgk82n120a3.pdf Size:179K _ixys

IXGK80N60AU1
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Preliminary Technical Information GenX3TM 1200V VCES = 1200V IXGK82N120A3 IC110 = 82A IGBTs IXGX82N120A3 ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 2.05V ≤ ≤ Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 1200 V G C Tab VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 1200 V E E VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±3

5.2. ixgk82n120b3.pdf Size:217K _ixys

IXGK80N60AU1
IXGK80N60AU1

Advance Technical Information GenX3TM 1200V VCES = 1200V IXGK82N120B3 IC110 = 82A IGBTs IXGX82N120B3 ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 3.20V ≤ ≤ High-Speed Low-Vsat PT IGBTs for 3 - 20 kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 1200 V G VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 1200 V C (TAB) E E VGES Continuous ±20 V VGEM Transient

Otros transistores... IXGK120N60B , IXGK50N50BU1 , IXGK50N60AU1 , IXGK50N60B , IXGK50N60BD1 , IXGK50N60BU1 , IXGK60N60 , IXGK80N60A , G3N60C3D , IXGM17N100 , IXGM17N100A , IXGM25N100 , IXGM25N100A , IXGN200N60 , IXGN200N60A , IXGN200N60B , IXGN50N60B .

 

 
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