SL20T65F IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL20T65F
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 56 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 128 pF
Encapsulados: TO220F
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SL20T65F datasheet
sl20t65f sl20t65 sl20t65fz sl20t65fl.pdf
SL20T65 Series Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) typ =1.6V,IC=20A and TC =25 C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 SL20T65 / Parameter Symbol SL20T65F SL20T65FL Unit SL20N65FZ Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 40 A Ic T=25 Collector Current-continuou
sl20t65fl1 sl20t65k1 sl20t65f1.pdf
SL20T65F1/K1/FL1 IGBT Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) typ =1.6V,IC=20A and TC =25 C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Typ Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 40 A Ic T=25 Collector Current-continuous T=100 20 A Collector Cu
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