SL20T65F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SL20T65F
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 35
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 56
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 128
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 43.9
Тип корпуса: TO220F
SL20T65F Datasheet (PDF)
sl20t65f sl20t65 sl20t65fz sl20t65fl.pdf
SL20T65 SeriesFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25SL20T65/Parameter Symbol SL20T65F SL20T65FLUnitSL20N65FZCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuou
sl20t65fl1 sl20t65k1 sl20t65f1.pdf
SL20T65F1/K1/FL1IGBTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Cu
Другие IGBT... SGTQ200V75SDB1PWD , SGTQ30NE40I1DTR , SGTQ40T120SDB2P7 , SGT10U60SDM2D , BGF15T65SD , SL15T65FF , SL15T65F , SL15T65FK , IRG4PC50UD , SL20T65 , SL20T65FZ , SL20T65FL , SL20T65FL1 , SL20T65K1 , SL20T65F1 , SL25T120FL , SL40T65FL1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ