SL20T65K1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL20T65K1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 162 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 56 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 128 pF
Paquete / Cubierta: TO263
- Selección de transistores por parámetros
SL20T65K1 Datasheet (PDF)
sl20t65fl1 sl20t65k1 sl20t65f1.pdf
SL20T65F1/K1/FL1IGBTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Cu
sl20t65f sl20t65 sl20t65fz sl20t65fl.pdf
SL20T65 SeriesFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25SL20T65/Parameter Symbol SL20T65F SL20T65FLUnitSL20N65FZCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuou
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1
History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1
Liste
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