Справочник IGBT. SL20T65K1

 

SL20T65K1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SL20T65K1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 128 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 43.9 nC
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SL20T65K1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SL20T65K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6757K  slkor
 sl20t65fl1 sl20t65k1 sl20t65f1.pdf pdf_icon

SL20T65K1

SL20T65F1/K1/FL1IGBTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Cu

 7.1. Size:8544K  slkor
 sl20t65f sl20t65 sl20t65fz sl20t65fl.pdf pdf_icon

SL20T65K1

SL20T65 SeriesFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25SL20T65/Parameter Symbol SL20T65F SL20T65FLUnitSL20N65FZCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuou

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXGK120N120A3 | MWI50-12A7

 

 
Back to Top

 


 
.