SL25T120FL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL25T120FL
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 120 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SL25T120FL - IGBT
SL25T120FL Datasheet (PDF)
sl25t120fl.pdf
SL25T120FLFeatures Low gate charge FS Technology Saturation voltage:VCE(sat),typ= 1.75V @IC=25A and TC=25TO-247 RoHS productApplications General purpose inverters Induction heating(IH) UPSAbsolute RatingsTc=25SL25T120FLSL25T120FLParameter Symbol UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 1200 V50 AIc T=25Collector Current-continu
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Liste
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