Справочник IGBT. SL25T120FL

 

SL25T120FL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SL25T120FL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 350
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 77
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 120
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 120
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SL25T120FL

 

 

SL25T120FL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8625K  slkor
 sl25t120fl.pdf

SL25T120FL SL25T120FL

SL25T120FLFeatures Low gate charge FS Technology Saturation voltage:VCE(sat),typ= 1.75V @IC=25A and TC=25TO-247 RoHS productApplications General purpose inverters Induction heating(IH) UPSAbsolute RatingsTc=25SL25T120FLSL25T120FLParameter Symbol UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 1200 V50 AIc T=25Collector Current-continu

Другие IGBT... SL15T65FK , SL20T65F , SL20T65 , SL20T65FZ , SL20T65FL , SL20T65FL1 , SL20T65K1 , SL20T65F1 , GT30F124 , SL40T65FL1 , SIF30N60G21B , SIP30N60G21B , SIW30N60G21B , SIB30N60G21B , SIF30N65G21F , SIP30N65G21F , SIW30N65G21F .

 

 
Back to Top