SL25T120FL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: SL25T120FL 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 77 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
Тип корпуса: TO247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SL25T120FL
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SL25T120FL даташит
sl25t120fl.pdf
SL25T120FL Features Low gate charge FS Technology Saturation voltage VCE(sat),typ= 1.75V @ IC=25A and TC=25 TO-247 RoHS product Applications General purpose inverters Induction heating(IH) UPS Absolute Ratings Tc=25 SL25T120FL SL25T120FL Parameter Symbol Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 1200 V 50 A Ic T=25 Collector Current-continu
Другие IGBT... SL15T65FK, SL20T65F, SL20T65, SL20T65FZ, SL20T65FL, SL20T65FL1, SL20T65K1, SL20T65F1, GT30F124, SL40T65FL1, SIF30N60G21B, SIP30N60G21B, SIW30N60G21B, SIB30N60G21B, SIF30N65G21F, SIP30N65G21F, SIW30N65G21F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110

