Справочник IGBT. SL25T120FL

 

SL25T120FL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SL25T120FL
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 77 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SL25T120FL

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SL25T120FL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8625K  slkor
 sl25t120fl.pdf pdf_icon

SL25T120FL

SL25T120FLFeatures Low gate charge FS Technology Saturation voltage:VCE(sat),typ= 1.75V @IC=25A and TC=25TO-247 RoHS productApplications General purpose inverters Induction heating(IH) UPSAbsolute RatingsTc=25SL25T120FLSL25T120FLParameter Symbol UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 1200 V50 AIc T=25Collector Current-continu

Другие IGBT... SL15T65FK , SL20T65F , SL20T65 , SL20T65FZ , SL20T65FL , SL20T65FL1 , SL20T65K1 , SL20T65F1 , GT30F124 , SL40T65FL1 , SIF30N60G21B , SIP30N60G21B , SIW30N60G21B , SIB30N60G21B , SIF30N65G21F , SIP30N65G21F , SIW30N65G21F .

 

 
Back to Top

 


 
.