Справочник IGBT. SL25T120FL

 

SL25T120FL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SL25T120FL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 77 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SL25T120FL

 

 

SL25T120FL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8625K  slkor
 sl25t120fl.pdf

SL25T120FL SL25T120FL

SL25T120FLFeatures Low gate charge FS Technology Saturation voltage:VCE(sat),typ= 1.75V @IC=25A and TC=25TO-247 RoHS productApplications General purpose inverters Induction heating(IH) UPSAbsolute RatingsTc=25SL25T120FLSL25T120FLParameter Symbol UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 1200 V50 AIc T=25Collector Current-continu

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top