ATT040N120EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ATT040N120EQ
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 543
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 40
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 98
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 200
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 165
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de ATT040N120EQ - IGBT
ATT040N120EQ Datasheet (PDF)
att040n120eq.pdf
N N-CHANNEL IGBT R ATT040N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 1200V Vcesat-typ 1.5V Vge=15VAPPLICATIONS New Energy Vehicle PTC PTC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS
att040k065eq.pdf
N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS
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Liste
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