ATT040N120EQ Todos los transistores

 

ATT040N120EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATT040N120EQ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 543 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 98 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

ATT040N120EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1487K  jilin sino
 att040n120eq.pdf pdf_icon

ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 1200V Vcesat-typ 1.5V Vge=15VAPPLICATIONS New Energy Vehicle PTC PTC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 8.1. Size:1548K  jilin sino
 att040k065eq.pdf pdf_icon

ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS

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History: IHW30N65R5 | 2MBI150VA-120-50 | XD040Q120AT1S3 | FGH40T65UPD | APTGT100A120D1 | SKM500GA123D | 2MBI150PC-140

 

 
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