ATT040N120EQ Todos los transistores

 

ATT040N120EQ IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATT040N120EQ

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 543 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 98 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF

Encapsulados: TO-247

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ATT040N120EQ datasheet

 ..1. Size:1487K  jilin sino
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ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 1200V Vcesat-typ 1.5V Vge=15V APPLICATIONS New Energy Vehicle PTC PTC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 8.1. Size:1548K  jilin sino
 att040k065eq.pdf pdf_icon

ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS

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History: IXSH45N120B | SGR5N60RUF | IXSR40N60BD1 | SPD15N65T1T0TL | SPF15N65T1T2TL | HIA30N140IH-DA | STGW100H65FB2-4

 

 

 

 

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