ATT040N120EQ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: ATT040N120EQ
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 98 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для ATT040N120EQ
ATT040N120EQ Datasheet (PDF)
att040n120eq.pdf
N N-CHANNEL IGBT R ATT040N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 1200V Vcesat-typ 1.5V Vge=15VAPPLICATIONS New Energy Vehicle PTC PTC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS
att040k065eq.pdf
N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS
Другие IGBT... SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , IXGH60N60 , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2