ATT040N120EQ - аналоги и описание IGBT

 

ATT040N120EQ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: ATT040N120EQ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 98 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для ATT040N120EQ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

ATT040N120EQ даташит

 ..1. Size:1487K  jilin sino
 att040n120eq.pdf pdf_icon

ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 1200V Vcesat-typ 1.5V Vge=15V APPLICATIONS New Energy Vehicle PTC PTC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 8.1. Size:1548K  jilin sino
 att040k065eq.pdf pdf_icon

ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS

Другие IGBT... SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , CRG40T60AN3H , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED .

History: STGB3NB60SD | STGF30M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.