Справочник IGBT. ATT040N120EQ

 

ATT040N120EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ATT040N120EQ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 98 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для ATT040N120EQ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

ATT040N120EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1487K  jilin sino
 att040n120eq.pdf pdf_icon

ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 1200V Vcesat-typ 1.5V Vge=15VAPPLICATIONS New Energy Vehicle PTC PTC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 8.1. Size:1548K  jilin sino
 att040k065eq.pdf pdf_icon

ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS

Другие IGBT... SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , SGT40N60NPFDPN , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED .

History: MG200Q2YS50 | IXGA4N100 | DGW25N120CTL | FGH40T70SHD | NGTB03N60R2DT4G

 

 
Back to Top

 


 
.