Справочник IGBT. ATT040N120EQ

 

ATT040N120EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ATT040N120EQ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 98 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

ATT040N120EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1487K  jilin sino
 att040n120eq.pdf pdf_icon

ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 1200V Vcesat-typ 1.5V Vge=15VAPPLICATIONS New Energy Vehicle PTC PTC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 8.1. Size:1548K  jilin sino
 att040k065eq.pdf pdf_icon

ATT040N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SKM50GD063DL | APTGT100A120D1 | 2MBI150VA-120-50 | MG200Q2YS50 | XD040Q120AT1S3 | SKM50GAL12T4 | 2MBI150PC-140

 

 
Back to Top

 


 
.