JT010N065CED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT010N065CED
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 136
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 60
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 27.4
Paquete / Cubierta: TO-220C
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JT010N065CED Datasheet (PDF)
jt010n065sed jt010n065ced jt010n065fed jt010n065wed.pdf
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N N-CHANNEL IGBT RJT010N065SED/CED/FED/WED Package MAIN CHARACTERISTICS I 10 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.5V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 Motor Control FEATURES
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