Справочник IGBT. JT010N065CED

 

JT010N065CED Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT010N065CED
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Тип корпуса: TO-220C
 

 Аналог (замена) для JT010N065CED

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT010N065CED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2931K  jilin sino
 jt010n065sed jt010n065ced jt010n065fed jt010n065wed.pdf pdf_icon

JT010N065CED

N N-CHANNEL IGBT RJT010N065SED/CED/FED/WED Package MAIN CHARACTERISTICS I 10 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.5V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 Motor Control FEATURES

Другие IGBT... SKT030N065 , ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , IRG7IC28U , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED .

History: 7MBR75VB060-50 | MMG150D120B6UN | SKW15N60 | MMG400D120UA6TN | SG12N06P | SRE80N065FSU

 

 
Back to Top

 


 
.