JT010N065FED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT010N065FED
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 37 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
Paquete / Cubierta: TO-220MF
- Selección de transistores por parámetros
JT010N065FED Datasheet (PDF)
jt010n065sed jt010n065ced jt010n065fed jt010n065wed.pdf

N N-CHANNEL IGBT RJT010N065SED/CED/FED/WED Package MAIN CHARACTERISTICS I 10 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.5V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 Motor Control FEATURES
Otros transistores... ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , GT30F126 , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED .
History: 7MBR25VM120-50 | MMG200D120B6UC | DM2G150SH6NE | CM50YE13-12H | CM600DXL-24S | MSG50T65FHC | CM100RL-24NF
History: 7MBR25VM120-50 | MMG200D120B6UC | DM2G150SH6NE | CM50YE13-12H | CM600DXL-24S | MSG50T65FHC | CM100RL-24NF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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