JT010N065FED Todos los transistores

 

JT010N065FED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT010N065FED
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 37 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
   Paquete / Cubierta: TO-220MF
     - Selección de transistores por parámetros

 

JT010N065FED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2931K  jilin sino
jt010n065sed jt010n065ced jt010n065fed jt010n065wed.pdf pdf_icon

JT010N065FED

N N-CHANNEL IGBT RJT010N065SED/CED/FED/WED Package MAIN CHARACTERISTICS I 10 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.5V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 Motor Control FEATURES

Otros transistores... ATT030N065EQ , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , GT30F126 , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , JT020N065FED .

History: 7MBR25VM120-50 | MMG200D120B6UC | DM2G150SH6NE | CM50YE13-12H | CM600DXL-24S | MSG50T65FHC | CM100RL-24NF

 

 
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