JT020N065FED IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT020N065FED
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 42 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 56 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 128 pF
Encapsulados: TO-220MF
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JT020N065FED datasheet
jt020n065sed jt020n065ced jt020n065wed jt020n065fed.pdf
N N-CHANNEL IGBT R JT020N065SED/CED/WED/FED MAIN CHARACTERISTICS Package I 20 A C BV 650V CES V CESAT-typ 1.6V V =15V GE APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 FEATURES TO-220C Low gate charge Trenc
Otros transistores... JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , JT020N065CED , JT020N065WED , IRG7IC28U , JT020N135WED , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E , JT030N065F7PD1E , JT030N065WED , JT030N065FED , JT030N065SED , JT040K065WED .
History: SKM195GB062D
History: SKM195GB062D
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