JT040K065AED Todos los transistores

 

JT040K065AED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT040K065AED
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 108 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 84 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 193 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 79.2 nC
   Paquete / Cubierta: TO-3PH
 

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JT040K065AED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1783K  jilin sino
 jt040k065wed jt040k065aed.pdf pdf_icon

JT040K065AED

N N-CHANNEL IGBT R JT040K065WED/AED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench

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