JT050N065WED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT050N065WED
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 437 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 283 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 121 nC
Paquete / Cubierta: TO-247
- Selección de transistores por parámetros
JT050N065WED Datasheet (PDF)
jt050n065wed.pdf

N N-CHANNEL IGBT R JT050N065WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor control FEATURES Low gate charge Trench FS
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N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT050N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50 A 1200 V V CESVcesat_typ1.80V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Technology FS
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N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT050K120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50 A 1200 V V CESVcesat_typ2.0V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES
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History: SRE40N065FSU2DG | SG50N06S
History: SRE40N065FSU2DG | SG50N06S



Liste
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