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JT050N065WED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT050N065WED
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 437 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 283 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 121 nC
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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JT050N065WED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:723K  jilin sino
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JT050N065WED

N N-CHANNEL IGBT R JT050N065WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor control FEATURES Low gate charge Trench FS

 8.1. Size:1652K  jilin sino
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JT050N065WED

N N-CHANNEL IGBT RJT050N120GPED MAIN CHARACTERISTICS Package TO-247plus IC 50A VCE 1200V Vcesat-typ 2.0V APPLICATIONS TO-247plus General purpose Inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS

 8.2. Size:1007K  jilin sino
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JT050N065WED

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT050N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50 A 1200 V V CESVcesat_typ1.80V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Technology FS

 9.1. Size:990K  jilin sino
 jt050k120f2ma1e.pdf pdf_icon

JT050N065WED

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT050K120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50 A 1200 V V CESVcesat_typ2.0V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES

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