JT05N065RAD Todos los transistores

 

JT05N065RAD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT05N065RAD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 59.5 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 32.7 pF
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

JT05N065RAD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1562K  jilin sino
 jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf pdf_icon

JT05N065RAD

N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech

 5.1. Size:2071K  jilin sino
 jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf pdf_icon

JT05N065RAD

N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RED/SED/FED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 6 A VCE 650V VcesatVge=15V 1.6V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology

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History: SII200N06 | IXSN35N120AU1 | IRGS4615D | IXBF20N300 | MSG15T120FPE | SKM150GB124D | IRG4BC30F

 

 
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