JT05N065VAD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT05N065VAD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 59.5
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 5
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.7
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 13
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 32.7
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 11.8
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de JT05N065VAD - IGBT
JT05N065VAD Datasheet (PDF)
jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech
jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf
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Liste
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