JT05N065VAD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT05N065VAD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 59.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 32.7 pF
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de JT05N065VAD - IGBT
JT05N065VAD Datasheet (PDF)
jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech
jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf
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