JT05N065VAD - аналоги и описание IGBT

 

JT05N065VAD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JT05N065VAD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 32.7 pF

Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для JT05N065VAD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT05N065VAD даташит

 ..1. Size:1562K  jilin sino
 jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf pdf_icon

JT05N065VAD

N N-CHANNEL IGBT R JT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech

 5.1. Size:2071K  jilin sino
 jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf pdf_icon

JT05N065VAD

N N-CHANNEL IGBT R JT05N065RED/SED/FED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 6 A VCE 650V Vcesat Vge=15V 1.6V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology

Другие IGBT... JT030N065SED , JT040K065WED , JT040K065AED , JT050K120F2MA1E , JT050N065WED , JT050N120F2MA1E , JT050N120GPED , JT05N065RAD , FGPF4633 , JT05N065SAD , JT05N065RED , JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E .

History: JT050N120F2MA1E | AOK40B120H1 | JT040K065AED | HGT1S7N60A4S9A | BT25T120CKR | FGA30T65SHD | IXXX100N60C3H1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.