JT05N065RED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT05N065RED
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 56.8 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 6 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 31.3 pF
Paquete / Cubierta: DPAK
- Selección de transistores por parámetros
JT05N065RED Datasheet (PDF)
jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RED/SED/FED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 6 A VCE 650V VcesatVge=15V 1.6V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology
jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech
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History: IXGR60N60C2C1
History: IXGR60N60C2C1
Liste
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