JT05N065RED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT05N065RED
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 56.8
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 15
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 31.3
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 13.7
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для JT05N065RED
JT05N065RED Datasheet (PDF)
jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RED/SED/FED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 6 A VCE 650V VcesatVge=15V 1.6V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology
jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech
Другие IGBT... JT040K065AED , JT050K120F2MA1E , JT050N065WED , JT050N120F2MA1E , JT050N120GPED , JT05N065RAD , JT05N065VAD , JT05N065SAD , IKW30N60H3 , JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED , JT100K120F2MA1E .
![JT05N065RED](https://alltransistors.com/images/us.png)
![JT05N065RED](https://alltransistors.com/images/es.png)
![JT05N065RED](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ