Справочник IGBT. JT05N065RED

 

JT05N065RED Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT05N065RED
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 31.3 pF
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

JT05N065RED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2071K  jilin sino
 jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf pdf_icon

JT05N065RED

N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RED/SED/FED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 6 A VCE 650V VcesatVge=15V 1.6V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology

 5.1. Size:1562K  jilin sino
 jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf pdf_icon

JT05N065RED

N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech

Другие IGBT... JT040K065AED , JT050K120F2MA1E , JT050N065WED , JT050N120F2MA1E , JT050N120GPED , JT05N065RAD , JT05N065VAD , JT05N065SAD , GT30F133 , JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED , JT100K120F2MA1E .

History: IXGR60N60C2C1

 

 
Back to Top

 


 
.