JT075N120F2MA1E Todos los transistores

 

JT075N120F2MA1E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JT075N120F2MA1E

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 375 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF

Encapsulados: MODULE

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JT075N120F2MA1E datasheet

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JT075N120F2MA1E

IGBT IGBT Modules R IGBT JT075N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.9V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techno

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JT075N120F2MA1E

N N-CHANNEL IGBT R JT075N120GPED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 1200V Vcesat-typ 1.9V APPLICATIONS General purpose Inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS product Ro

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JT075N120F2MA1E

N N-CHANNEL IGBT R JT075N065WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.75V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

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JT075N120F2MA1E

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History: GT30J322 | JT05N065RED | SKM50GAL12T4 | F3L300R12MT4_B22 | NCE40TD60BT | ISL9V3036S3S | SGR6N60UF

 

 

 

 

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