IXGN50N60B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGN50N60B
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 310 pF
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXGN50N60B - IGBT
IXGN50N60B Datasheet (PDF)
ixgn50n60b.pdf
HiPerFASTTM IGBT IXGN 50N60B VCES = 600 V IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.3 Vtfi(typ) = 120nsPreliminary data sheetESymbol Test Conditions Maximum RatingsSOT-227B miniBLOCE153432E VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C75 ACIC90 TC = 90C50 AG = Gate, C = Collector
ixgn50n60bd3 ixgn50n60bd2.pdf
IXGN 50N60BD2 VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGN 50N60BD3 IC25 = 75 Awith HiPerFREDVCE(sat) = 2.5 Vtfi = 150 nsBuck & boost configurations...BD2 ...BD3Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOCE 1534321VCES TJ = 25C to 150C 600 V2VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V4IC25 TC = 25C75 A3IC90
ixgn50n120c3h1.pdf
Advance Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200VIXGN50N120C3H1IC110 = 50AIGBT w/ DiodeVCE(sat) 4.2VHigh-Speed PT IGBT for20-50 kHz SwitchingSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE
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Liste
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