JT600N120F2MHTE Todos los transistores

 

JT600N120F2MHTE - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT600N120F2MHTE
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3650 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 82 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3700 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

JT600N120F2MHTE Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1156K  jilin sino
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JT600N120F2MHTE

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CESVcesat_typ1.95V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

 1.1. Size:499K  jilin sino
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JT600N120F2MHTE

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CESVcesat_typ1.95V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

 8.1. Size:1205K  jilin sino
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JT600N120F2MHTE

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N065F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 650 V V CESVcesat_typ1.55V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

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History: ISL9V3040D3S | IXGH30N60B | MMG15CB120XB6TC | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IRG7PH35UD1M | IKW50N65WR5

 

 
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