TT010N120EI Todos los transistores

 

TT010N120EI - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT010N120EI
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 176 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18.7 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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TT010N120EI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  jilin sino
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TT010N120EI

N N-CHANNEL IGBT R TT010N120EI MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters TO-247 FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 4.1. Size:1472K  jilin sino
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TT010N120EI

N N-CHANNEL IGBT R TT010N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters TO-247 FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 8.1. Size:1017K  jilin sino
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TT010N120EI

N N-CHANNEL IGBT R TT010N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS C FEATURES E Low gate charge Tren

Otros transistores... JT450N120F2MH1E , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , GT30G122 , TT010N120EQ , TT015N060EQ , TT015N120EQ , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI .

History: SII150N06 | FGHL40S65UQ | IXGA30N60C3 | 2MBI600NT-060 | SGW13N60UFD | FGAF40N60SMD | VS-100MT060WDF

 

 
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