TT010N120EI Todos los transistores

 

TT010N120EI IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TT010N120EI

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 176 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18.7 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF

Encapsulados: TO-247

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TT010N120EI datasheet

 ..1. Size:550K  jilin sino
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TT010N120EI

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TT010N120EI

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TT010N120EI

N N-CHANNEL IGBT R TT010N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS C FEATURES E Low gate charge Tren

Otros transistores... JT450N120F2MH1E , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , IKW40T120 , TT010N120EQ , TT015N060EQ , TT015N120EQ , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI .

History: NGTB15N120IHWG | TGAF40N60F2D | VS-GB150LH120N | SRE50N120FSUDAT | TGH40N65F2DS | NGTB40N120LWG | YGW60N65F1A2

 

 

 

 

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