TT010N120EI Todos los transistores

 

TT010N120EI - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT010N120EI
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 176 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18.7 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

TT010N120EI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  jilin sino
 tt010n120ei.pdf pdf_icon

TT010N120EI

N N-CHANNEL IGBT R TT010N120EI MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters TO-247 FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 4.1. Size:1472K  jilin sino
 tt010n120eq.pdf pdf_icon

TT010N120EI

N N-CHANNEL IGBT R TT010N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters TO-247 FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 8.1. Size:1017K  jilin sino
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TT010N120EI

N N-CHANNEL IGBT R TT010N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS C FEATURES E Low gate charge Tren

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History: VS-100MT060WDF | HGT1S7N60B3D | JT075N120F2MA1E | 6MBI100VA-120-50 | DIM800XSM45-TS | RCM10N40 | CM600DY-34H

 

 
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