TT025N120FQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT025N120FQ
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 272.7 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 44 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 99 pF
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de TT025N120FQ - IGBT
TT025N120FQ Datasheet (PDF)
tt025n120fq.pdf
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Liste
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