Справочник IGBT. TT025N120FQ

 

TT025N120FQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TT025N120FQ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272.7 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 99 pF
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

TT025N120FQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1318K  jilin sino
 tt025n120fq.pdf pdf_icon

TT025N120FQ

N N-CHANNEL IGBT R TT025N120FQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 25 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS produ

 5.1. Size:2026K  jilin sino
 tt025n120eq.pdf pdf_icon

TT025N120FQ

N N-CHANNEL IGBT RTT025N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 25A IC 1200V VCE 1.50V VCESAT-typ APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS product

 9.1. Size:1650K  jilin sino
 tt025u120eq.pdf pdf_icon

TT025N120FQ

N N-CHANNEL IGBT R TT025U120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 25 A VCES 1200V Vcesat-typ 2.3V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MMG300D170B6TC | JNG40T65HYU1 | IKW40N65F5 | CRG40T60AK3SD | IXYH40N65C3H1 | CM300DU-12F | MG12300D-BN2MM

 

 
Back to Top

 


 
.