IXGN50N60BD2 Todos los transistores

 

IXGN50N60BD2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGN50N60BD2

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 75

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 150

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: SOT227B

Búsqueda de reemplazo de IXGN50N60BD2 - IGBT

 

IXGN50N60BD2 Datasheet (PDF)

1.1. ixgn50n60b.pdf Size:133K _ixys

IXGN50N60BD2
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HiPerFASTTM IGBT IXGN 50N60B VCES = 600 V IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.3 V tfi(typ) = 120ns Preliminary data sheet E Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B miniBLOC E153432 E VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V G VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V E IC25 TC = 25°C75 A C IC90 TC = 90°C50 A G = Gate, C = Collector

3.1. ixgn50n120c3h1.pdf Size:189K _ixys

IXGN50N60BD2
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Advance Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IXGN50N120C3H1 IC110 = 50A IGBT w/ Diode ≤ VCE(sat) ≤ ≤£ 4.2V ≤ ≤ High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25°C to 150°C 1200 V G VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 1200 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V E

 

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