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TT030K065EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT030K065EQ
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 234 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 52 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 139 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 66 nC
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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TT030K065EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1002K  jilin sino
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TT030K065EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT030K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 30 A IC 650V VCES 1.7V VCESAT-TYP APPLICATIONS PFC Power factor corrector (PFC) UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS

 9.1. Size:1324K  jilin sino
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TT030K065EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT030U065FBA MAIN CHARACTERISTICS Package IC 30A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector PFC FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS RoHS product

 9.2. Size:1641K  jilin sino
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TT030K065EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT030N065EI MAIN CHARACTERISTICS Package I 30A CV 650V CESV -TYP 1.7V CE satAPPLICATIONS White electricity field E FEATURES C G Low gate charge TO-3PH Trench FS Trench FS Technology RoHS

 9.3. Size:1033K  jilin sino
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TT030K065EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT030U065FQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 30A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector PFC Energy Storage TO-263 FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

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History: FGH75T65SQDT | SRE100N065FSUD6 | 2MBI100VA-120-50 | DIM400DDS12-A | MMG75J120UZ | IXGT50N60B | NGTB15N120IHL

 

 
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