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TT060U060EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT060U060EQ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 454 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 96 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 244 pF
   Paquete / Cubierta: TO-3PH

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TT060U060EQ Datasheet (PDF)

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N N-CHANNEL IGBT R TT060U060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60 A VCES 600V Vcesat-typ 1.9V Vge=15VAPPLICATIONS Welding converters Power Factor Correction PFC Air Condition FEATURES Low gate charge Trench FS

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N N-CHANNEL IGBT R ATT060U060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60 A VCE 650V Vcesat-typ 1.9V Vge=15VAPPLICATIONS Welding converters Power Factor Correction PFC OBC FEATURES Low gate charge Trench FS Tech

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N N-CHANNEL IGBT RTT060U065FQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

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N N-CHANNEL IGBT RTT060U065FB MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

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