IXGN60N60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGN60N60
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 290 pF
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de IXGN60N60 - IGBT
IXGN60N60 Datasheet (PDF)
ixgn60n60.pdf
Ultra-Low VCE(sat) IGBT IXGN 60N60 VCES = 600 V IC25 = 100 A VCE(sat) = 1.7 VPreliminary data sheetESymbol Test Conditions Maximum RatingsSOT-227B miniBLOCE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 100 ACIC90 TC = 90C60 A G = Gate, C = Collector, E = EmitterICM TC
ixgn60n60c2.pdf
HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGN60N60C2with DiodeIC110 = 60AIXGN60N60C2D1VCE(sat) 2.5Vtrr = 35nsC2-Class High Speed IGBTsEE SOT-227B, miniBLOC E15343260C2 60C2D1E Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1 M 600 VE VGES Continuous 20 VCVGEM Transient 30 VIC25 TC
ixgn60n60c2d1.pdf
HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGN60N60C2with DiodeIC110 = 60AIXGN60N60C2D1VCE(sat) 2.5Vtrr = 35nsC2-Class High Speed IGBTsEE SOT-227B, miniBLOC E15343260C2 60C2D1E Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1 M 600 VE VGES Continuous 20 VCVGEM Transient 30 VIC25 TC
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Liste
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