BRGH15N120D Todos los transistores

 

BRGH15N120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRGH15N120D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 128 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 130 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de BRGH15N120D IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BRGH15N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1798K  blue-rocket-elect
 brgh15n120d.pdf pdf_icon

BRGH15N120D

BRGH15N120D Rev.A May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-247 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-247 Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

Otros transistores... TT075N065EQ , TT075N120EBC , TT075U065FBC , TT075U065FQB , TT100N120PF1E , BRG10N120D , BRG60N60D , BRGB6N65DP , IRG4PC40W , BRGH25N120D , NCE100ED65BT , NCE100ED65BT4 , NCE100ED65VT , NCE100ED65VT4 , NCE100ED65VTP , NCE100ED65VTP4 , NCE100ED75VT .

History: RJH60F5BDPQ-A0 | IXGX32N170AH1 | IRGP4066D-EPBF

 

 
Back to Top

 


 
.