Справочник IGBT. BRGH15N120D

 

BRGH15N120D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BRGH15N120D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 150
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 128
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 130
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для BRGH15N120D

 

 

BRGH15N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1798K  blue-rocket-elect
 brgh15n120d.pdf

BRGH15N120D BRGH15N120D

BRGH15N120D Rev.A May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-247 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-247 Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top