Справочник IGBT. BRGH15N120D

 

BRGH15N120D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BRGH15N120D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 128 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для BRGH15N120D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BRGH15N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1798K  blue-rocket-elect
 brgh15n120d.pdf pdf_icon

BRGH15N120D

BRGH15N120D Rev.A May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-247 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-247 Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

Другие IGBT... TT075N065EQ , TT075N120EBC , TT075U065FBC , TT075U065FQB , TT100N120PF1E , BRG10N120D , BRG60N60D , BRGB6N65DP , RJH60F7BDPQ-A0 , BRGH25N120D , NCE100ED65BT , NCE100ED65BT4 , NCE100ED65VT , NCE100ED65VT4 , NCE100ED65VTP , NCE100ED65VTP4 , NCE100ED75VT .

 

 
Back to Top

 


 
.