2SH29 Todos los transistores

 

2SH29 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SH29
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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2SH29 Datasheet (PDF)

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2SH29

2SH29Silicon N Channel IGBTHigh Speed Power SwitchingADE-208-791A(Z)2nd. EditionMay 1999Features High speed switching Low on-voltageOutlineTO220ABCG121. GateE32. Collector (Flange)3. Emitter2SH29Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)Item Symbol Ratings UnitCollector to Emitter voltage VCES 600 VGate to Emitter voltage VGES 20 VColle

Otros transistores... 2SH18 , 2SH19 , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , IRG4PC50UD , 2SH30 , 2SH31 , HCKZ75N65BH2 , IGC07T120T8L , IGC07T120T6L , APT100GF60LR , APT11GF120BRD , IGC07R60DE .

History: CRGMF50T120FSC | NGTB30N60IHLWG

 

 
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