IXGR32N60C Todos los transistores

 

IXGR32N60C - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGR32N60C

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat):

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 45A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 55

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: ISO247

Búsqueda de reemplazo de IXGR32N60C - IGBT

 

IXGR32N60C Datasheet (PDF)

1.1. ixgr32n60cd1.pdf Size:571K _ixys

IXGR32N60C
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VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 32N60CD1 IC25 = 45 A with Diode VCE(SAT) = 2.7 V ISOPLUS247TM tfi(typ) = 55 ns (Electrically Isolated Backside) Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM (IXGR) E 153432 VCES TJ = 25C to 150C 600 V VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M? 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C IC25 TC = 25C45 A E Is

1.2. ixgr32n60cd1.pdf Size:569K _igbt_a

IXGR32N60C
IXGR32N60C

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 32N60CD1 IC25 = 45 A with Diode VCE(SAT) = 2.7 V ISOPLUS247TM tfi(typ) = 55 ns (Electrically Isolated Backside) Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM (IXGR) E 153432 VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V G C IC25 TC = 25°

 1.3. ixgr32n60c.pdf Size:536K _igbt_a

IXGR32N60C
IXGR32N60C

IXGR 32N60C VCE = 600 V HiPerFASTTM IGBT IC25 = 45 A Lightspeed Series VCE(sat) = 2.7 V ISOPLUS247TM package tfi typ = 55 ns (Electrically Isolated Back Side) Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V G C Isolated Backside* VGEM Transie

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