Справочник IGBT. IXGR32N60C

 

IXGR32N60C - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGR32N60C
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXGR32N60C

 

 

IXGR32N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  ixys
 ixgr32n60c.pdf

IXGR32N60C IXGR32N60C

IXGR 32N60C VCE = 600 VHiPerFASTTM IGBTIC25 = 45 ALightspeed SeriesVCE(sat) = 2.7 VISOPLUS247TM packagetfi typ = 55 ns(Electrically Isolated Back Side)Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGCIsolated Backside*VGEM Transie

 0.1. Size:569K  ixys
 ixgr32n60cd1.pdf

IXGR32N60C IXGR32N60C

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGR 32N60CD1IC25 = 45 Awith DiodeVCE(SAT) = 2.7 VISOPLUS247TMtfi(typ) = 55 ns(Electrically Isolated Backside)Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM (IXGR)E 153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC25 TC = 25

 7.1. Size:82K  ixys
 ixgr32n170h1.pdf

IXGR32N60C IXGR32N60C

IXGR 32N170H1VCES = 1700 VHigh VoltageIC25 = 38 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 3.5 VElectrically Isolated Tabtfi(typ) = 250 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXGR)E153432VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCISOLATED TABEIC25 TC = 25C3

 7.2. Size:195K  ixys
 ixgr32n90b2d1.pdf

IXGR32N60C IXGR32N60C

Advance Technical InformationVCES = 900 VIXGR 32N90B2D1HiPerFASTTM IGBTIC25 = 47 Awith Fast DiodeVCE(sat) = 2.9 Vtfi typ = 150 nsElectrically Isolated BaseSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXGR)E153432VCES TJ = 25OC to 150OC 900 VVCGR TJ = 25OC to 150OC; RGE = 1 M 900 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC25 TC = 25OC47 A ISOLATED T

 7.3. Size:519K  ixys
 ixgr32n170ah1.pdf

IXGR32N60C IXGR32N60C

Advance Technical InformationIXGR 32N170AH1VCES = 1700 VHigh VoltageIC25 = 26 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 5.2 VElectrically Isolated Tabtfi(typ) = 50 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXGR)E153432VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCISOLATED TABEIC25 TC

Другие IGBT... IXGP12N60CD1 , IXGP15N100C , IXGP15N120B , IXGP20N100 , IXGP20N60B , IXGP7N60B , IXGP7N60C , IXGP8N100 , FGH40N60UFD , IXGR32N60CD1 , IXGR40N60BD1 , IXGR60N60U1 , IXGT15N120B , IXGT15N120BD1 , IXGT15N120C , IXGT15N120CD1 , IXGT20N100 .

 

 
Back to Top