MPBC6N65ESF Todos los transistores

 

MPBC6N65ESF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBC6N65ESF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 33 pF
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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MPBC6N65ESF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  cn marching-power
 mpbd6n65esf mpbc6n65esf.pdf pdf_icon

MPBC6N65ESF

MPBX6N65ESF650V-6A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Fan, Pumps, Vacuum Cleaner Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeCCMPBD6N65ESF MP6N65ESF TO-252MPB

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