MPBC6N65ESF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBC6N65ESF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP6N65ESF
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 33 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 25 nC
Paquete / Cubierta: TO-263
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MPBC6N65ESF Datasheet (PDF)
mpbd6n65esf mpbc6n65esf.pdf
MPBX6N65ESF650V-6A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Fan, Pumps, Vacuum Cleaner Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeCCMPBD6N65ESF MP6N65ESF TO-252MPB
Otros transistores... BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , TGPF30N43P , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF .
Liste
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