MPBC6N65ESF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBC6N65ESF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 33 pF
Encapsulados: TO-263
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MPBC6N65ESF datasheet
mpbd6n65esf mpbc6n65esf.pdf
MPBX6N65ESF 650V-6A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor Drives positive temperature coefficient in VCEsat Fan, Pumps, Vacuum Cleaner Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code C C MPBD6N65ESF MP6N65ESF TO-252 MPB
Otros transistores... BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , GT30F133 , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF .
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