MPBC6N65ESF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MPBC6N65ESF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 33 pF
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для MPBC6N65ESF
MPBC6N65ESF Datasheet (PDF)
mpbd6n65esf mpbc6n65esf.pdf
MPBX6N65ESF650V-6A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Fan, Pumps, Vacuum Cleaner Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeCCMPBD6N65ESF MP6N65ESF TO-252MPB
Другие IGBT... BLG15T65FUA-P , BLG15T65FUL-B , BLG15T65FUL-P , BLG15T65FUL-A , BLG20T65FDLA-A , BLG20T65FDLA-P , BLG20T65FDLA-F , BLG20T65FDLA-B , SGT40N60NPFDPN , BLG20T65FULA-A , BLG3040-D , BLG3040-B , BLG3040-P , BLG3040-I , BLG40T120FDH-F , BLG40T120FUH-F , BLG40T120FUK-F .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2