MPBC6N65ESF - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги MPBC6N65ESF. Основные параметры


   Наименование: MPBC6N65ESF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 33 pF
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для MPBC6N65ESF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBC6N65ESF даташит

 ..1. Size:842K  cn marching-power
 mpbd6n65esf mpbc6n65esf.pdf pdf_icon

MPBC6N65ESF

MPBX6N65ESF 650V-6A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor Drives positive temperature coefficient in VCEsat Fan, Pumps, Vacuum Cleaner Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code C C MPBD6N65ESF MP6N65ESF TO-252 MPB

Другие IGBT... BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , GT30F133 , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF .

 

 
Back to Top

 


 
.