MPBC6N65ESF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MPBC6N65ESF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 33 pF

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MPBC6N65ESF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBC6N65ESF даташит

 ..1. Size:842K  cn marching-power
 mpbd6n65esf mpbc6n65esf.pdf pdf_icon

MPBC6N65ESF

MPBX6N65ESF 650V-6A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor Drives positive temperature coefficient in VCEsat Fan, Pumps, Vacuum Cleaner Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code C C MPBD6N65ESF MP6N65ESF TO-252 MPB

Другие IGBT... BLQG50T65FDLA-K, BLQG50T65FDLA-W, RGT20TM65D, AMPBQ200N75GSFA, AMPBW50N65E, AMPBZ50N65ED, MPBC40N65EH, MPBD6N65ESF, YGW40N65F1A1, MPBL75N120BF, MPBP10N65EF, MPBA10N65EF, MPBD10N65EF, MPBP15N65EF, MPBA15N65EF, MPBC15N65EF, MPBP20N65EF