MPBP15N65EF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBP15N65EF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP15N65EF
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 69 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 53 nC
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
MPBP15N65EF Datasheet (PDF)
mpbp15n65ef mpba15n65ef mpbc15n65ef.pdf

MPBX15N65EF650V-15A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionGCTO-220EType Marking Package CodeCMPBP15N65EF MP15N65EF TO-220-3MPBA15N65EF MP15N
mpbp10n65ef mpba10n65ef mpbd10n65ef.pdf

MPBX10N65EF650V-10A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionGCE TO-220Type Marking Package CodeMPBP10N65EF MP10N65EF TO-220-3MPBA10N65EF MP10N65EF
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History: 1MBI3600U4D-120 | IKW40N65H5 | IKD10N60RA
History: 1MBI3600U4D-120 | IKW40N65H5 | IKD10N60RA



Liste
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IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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