MPBP15N65EF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MPBP15N65EF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: MP15N65EF
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 35
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 69
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 53
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для MPBP15N65EF
MPBP15N65EF Datasheet (PDF)
mpbp15n65ef mpba15n65ef mpbc15n65ef.pdf
MPBX15N65EF650V-15A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionGCTO-220EType Marking Package CodeCMPBP15N65EF MP15N65EF TO-220-3MPBA15N65EF MP15N
mpbp10n65ef mpba10n65ef mpbd10n65ef.pdf
MPBX10N65EF650V-10A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionGCE TO-220Type Marking Package CodeMPBP10N65EF MP10N65EF TO-220-3MPBA10N65EF MP10N65EF
Другие IGBT... AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , CRG75T60AK3HD , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB