MPBP20N65EF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBP20N65EF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP20N65EF
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 166 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 39
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 69
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 113
Paquete / Cubierta: TO-220
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MPBP20N65EF Datasheet (PDF)
mpbp20n65ef mpba20n65ef mpbc20n65ef mpbw20n65ef mpbt20n65ef.pdf
MPBX20N65EF650V-20A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBP20N65EF MP20N65EF TO-220MPBA20N65EF MP20N65EF TO-220FMPBC20N6
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Liste
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