MPBP40N65EH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBP40N65EH
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP40N65EH
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 110 nC
Paquete / Cubierta: TO220L
Búsqueda de reemplazo de MPBP40N65EH - IGBT
MPBP40N65EH Datasheet (PDF)
mpbp40n65eh.pdf
MPBP40N65EH650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBP40N65EH MP40N65EH TO-220-
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