MPBQ50N120B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBQ50N120B
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP50N120B
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 121 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 145 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 516 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MPBQ50N120B - IGBT
MPBQ50N120B Datasheet (PDF)
mpbq50n120b.pdf
MPBQ50N120B1200V-50A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Solar Inverterpositive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsatfast switching Welding High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking PackageMPBQ50N120B MP50N120B TO-247-3L PlusMaximum Rated Va
Otros transistores... MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , RJP6065DPM , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB