MPBQ75N120BF IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBQ75N120BF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 833 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 52 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 400 pF
Encapsulados: TO247
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MPBQ75N120BF datasheet
mpbq75n120bf.pdf
MPBQ75N120BF 1200V-75A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converter positive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsat fast switching Solar Inverter High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ75N120BF MP75N120BF
mpbq75n120e.pdf
MPBQ75N120E 1200V-75A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPS positive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsat fast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBQ75N120E MP75N120E TO-2
Otros transistores... MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , FGL60N100BNTD , MPBQ75N120E , MPBW15N120BF , MPBW25N120BF , MPBW30N120E , MPBW30N65E , MPBW40N120BF , MPBW40N120EH , MPBW40N120ES .
History: AFGHL40T65SQD | SGS13N60UFD | STGB20NB32LZ
History: AFGHL40T65SQD | SGS13N60UFD | STGB20NB32LZ
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