MPBQ75N120BF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBQ75N120BF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP75N120BF
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 833 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 52
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 400
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 290
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MPBQ75N120BF - IGBT
MPBQ75N120BF Datasheet (PDF)
mpbq75n120bf.pdf
MPBQ75N120BF1200V-75A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Frequency converterpositive temperature coefficient in VCEsat UPS Low VCEsatfast switching Solar Inverter High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ75N120BF MP75N120BF
mpbq75n120e.pdf
MPBQ75N120E1200V-75A Trench and Field Stop IGBTFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Industrial UPSpositive temperature coefficient in VCEsat Charger Low VCEsatfast switching Energy Storage High ruggedness, good thermal stability Welding Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBQ75N120E MP75N120E TO-2
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Liste
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