MPBW40N65BU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBW40N65BU
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP40N65BU
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 165 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
MPBW40N65BU Datasheet (PDF)
mpbw40n65bu.pdf

MPBW40N65BU 650V 40AIGBT UPS PFC TO-247 MPBW40N65BUMP40N65BUTO2471
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MPBW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW40N65E MP40N65E TO-247-3
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MPBW40N60BF 600V 40A IGBT UPS TO-247 MPBW40N60BF MP40N60BF TO-247 1 -
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History: MPBW40N60BF | HGT1S20N60C3
History: MPBW40N60BF | HGT1S20N60C3



Liste
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