MPBW40N65BU Todos los transistores

 

MPBW40N65BU - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBW40N65BU
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 280 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

MPBW40N65BU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  cn marching-power
 mpbw40n65bu.pdf pdf_icon

MPBW40N65BU

MPBW40N65BU 650V 40AIGBT UPS PFC TO-247 MPBW40N65BUMP40N65BUTO2471

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MPBW40N65BU

MPBW40N65BH 650V 40A IGBT UPS PFC TO-247 MPBW40N65BH MP40N65BH TO-247 1 -

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MPBW40N65BU

MPBW40N65E650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW40N65E MP40N65E TO-247-3

 6.1. Size:605K  cn marching-power
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MPBW40N65BU

MPBW40N60BF 600V 40A IGBT UPS TO-247 MPBW40N60BF MP40N60BF TO-247 1 -

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